Nexperia(安世)
DO-41
¥0.162657
3560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1562
17090
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):150uA@1V,稳压值(范围):3.13V~3.47V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.1941
3443
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 13.7 V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.1951
1633
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):4V~4.6V
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.132
27240
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.7197
145
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-923
¥0.2145
7494
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2.5 V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.20745
20370
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA@11.4V,稳压值(范围):13.5V~16.5V
VISHAY(威世)
DO-41 (DO-204AL)
¥0.2629
1889
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 1.5 V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2013
19820
稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):100nA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):350Ω
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.309
3040
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.9 V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.2756
1600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.3162
7230
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 15.2 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.288
3175
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):200V,反向电流(Ir):1uA@150V,稳压值(范围):198.12V~202.13V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.424
2480
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):2.97V~3.63V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.3023
2590
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,工作温度:-55°C ~ 150°C
DIODES(美台)
SMA
¥0.431
49239
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 27.4 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.553375
2975
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):13.3V~14.7V
VISHAY(威世)
SMF(DO-219AB)
¥0.456096
2735
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,功率 - 最大值:800 mW,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 200 mA
onsemi(安森美)
SMA
¥0.419463
20285
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 7 V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.346
22639
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):150 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):600 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 114 V
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥1.2892
3250
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,功率 - 最大值:800 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 11 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥1.194
722
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 11.4 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.712
31118
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.88%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 1.5 V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.0228
12794
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.25V~15.75V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.023256
2650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0261
119815
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):100nA@5V,稳压值(范围):7V~7.9V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0264
4040310
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.0308
2890
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):2.2V~2.6V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0311
833225
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,稳压值(范围):6.4V~7.2V,耗散功率(Pd):300mW
FOSAN(富信)
SOD-123
¥0.0355
950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,稳压值(范围):6.4V~7.2V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-323
¥0.0325
10230
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA@3V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0472
7645
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.0V,稳压值(范围):5.2V~6V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.051205
2850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@23V,稳压值(范围):29.4V~30.6V
FOSAN(富信)
SOD-123
¥0.037145
1400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@7V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0367
110188
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.035625
2200
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):200mW
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.034865
3200
稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):20uA,稳压值(范围):6.4V~7.2V,耗散功率(Pd):350mW
FOSAN(富信)
SOD-323
¥0.0415
2350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0375
301400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA,稳压值(范围):7.7V~8.7V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.037145
4740
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4.0V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.04275
2580
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.042
191563
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):1uA@39V,稳压值(范围):48V~54V
LGE(鲁光)
SOD-80
¥0.040945
3258
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):100nA@6.2V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
LGE(鲁光)
SOD-80
¥0.04503
484
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.05V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.04284
5450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.04503
3350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,稳压值(范围):2.94V~3.06V,耗散功率(Pd):200mW
ST(先科)
SOD-323
¥0.0473
97066
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):500nA@3.5V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0473
159885
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
ST(先科)
SOD-323
¥0.0473
61965
稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):500nA@5V,稳压值(范围):7.7V~8.7V,耗散功率(Pd):300mW