SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.051205
1950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@1.0V,稳压值(范围):23.52V~24.48V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0579
24143
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):34V~38V
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0533
93470
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):1uA@5.0V,稳压值(范围):7V~7.9V
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0456
2700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0466
268463
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,稳压值(范围):3.7V~4.1V,耗散功率(Pd):200mW
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0507
191027
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05546
50484
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6.39%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.0448
850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.04968
6950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):75V,反向电流(Ir):200nA@57V,稳压值(范围):70V~79V
ElecSuper(静芯)
SOD-123
¥0.0539
2300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0513
208990
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):130 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 27.3 V
ST(先科)
DO-35
¥0.061
10909
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):100nA@2V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.04392
150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):2.2V~2.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0505
201235
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,稳压值(范围):8.65V~9.56V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123
¥0.054
2300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0592
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):7.35V~7.65V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.05624
2050
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
LGE(鲁光)
SOD-80
¥0.05624
3440
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):4.61V~4.79V
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.05859
10795
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,稳压值(范围):32.3V~33.7V,耗散功率(Pd):500mW
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.059
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.65V~2.75V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0597
553066
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):4V~4.6V
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0616
10047
稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):3uA@6V,稳压值(范围):7.13V~7.88V,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.088
3080
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.85V~16.51V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.0615
6956
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.0431
53580
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0731
8848
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):3uA@6.5V,稳压值(范围):7.79V~8.61V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
44528
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.92V~9.28V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.10731
7575
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.9 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.08445
16839
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0572
149852
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA@5V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.06874
11375
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.11316
10750
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0636
9820
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):100uA@1.0V,稳压值(范围):2.32V~2.51V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0699
157896
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
154936
稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.86V~6.51V,耗散功率(Pd):1W
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
648960
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):13.8V~15.8V
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.072105
8940
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):5uA@2.0V,稳压值(范围):4.47V~4.94V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.075
40943
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0788
2720
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3V,稳压值(范围):5.32V~5.88V,耗散功率(Pd):500mW
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0791
19791
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 21 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0762
251987
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.082
52500
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,工作温度:-55°C ~ 150°C,安装类型:表面贴装型
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0592
8345
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):100nA@27.3V,稳压值(范围):37V~41V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.085
117320
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±8%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0935
5107
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):12.35V~13.65V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.093
320
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):125 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 39 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.091872
10160
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@10V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.10108
39520
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):9Ω
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.0983
3731
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.03 V,容差:±3%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1
97407
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V