LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0642
35736
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):75uA@1V,稳压值(范围):2.57V~2.84V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0768
10695
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):15uA@1.0V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0777
27926
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):20.9V~23.1V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0762
10376
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):44 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0596
16605
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7V,稳压值(范围):9.8V~10.2V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06438
14748
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.1014
2980
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5.42%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0598
11979
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5.45%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.06118
147616
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 5 V
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.065
297044
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):37 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06438
8581
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 17 V
LRC(乐山无线电)
SOD-882
¥0.0736
21260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@3.8V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0759
71114
稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):25uA@1V,稳压值(范围):4.06V~4.56V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.077
92
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5.56%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0784
27236
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±7%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0635
34155
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0858
6500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):14.25V~15.75V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.09654
6040
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):15uA,稳压值(范围):13.8V~15.8V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0837
115054
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.094
57377
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1166
27862
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):7Ω
YANGJIE(扬杰)
SOD-323
¥0.0515
8914
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):56V,反向电流(Ir):100nA@42V,稳压值(范围):53V~59V
ST(先科)
DO-41
¥0.101
1303
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
178730
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
170545
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.92V
VISHAY(威世)
DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
¥0.1073
25590
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.06802
15997
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):45nA@14V,稳压值(范围):19.6V~20.4V
Leiditech(雷卯电子)
SOD-123
¥0.05763
1620
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):4uA@1V,稳压值(范围):3.14V~3.47V,耗散功率(Pd):500mW
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.1102
3780
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):10uA@7V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.11128
142434
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.11
1580
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±1.91%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):78 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.10046
11318
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1.5 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1118
9246
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±7%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 21 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.12
60168
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 8.4 V
ST(先科)
LL-41
¥0.1216
26270
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):5uA@27.4V,耗散功率(Pd):1W
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.12807
7030
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):5uA@8.4V,稳压值(范围):10.4V~11.6V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0879
24011
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
ST(先科)
LL-41
¥0.108
8824
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.89V~6.51V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1557
3960
二极管配置:1对共阳极,稳压值(范围):3.4V~3.8V,耗散功率(Pd):300mW,阻抗(Zzt):95Ω
晶导微电子
SOD-123
¥0.1335
2400
稳压值(标称值):82V,反向电流(Ir):1uA@62V,稳压值(范围):77.9V~87V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0699
20704
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14 V
Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.172
20618
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06198
6496
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 800 mV
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.1377
6520
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2.35%,功率 - 最大值:365 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1.5 V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.1658
23520
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
MELF
¥0.1674
15954
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.1825
1310
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±5%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):75 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 27.3 V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.17385
5140
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):500nA@15.2V,稳压值(范围):19V~21V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1696
34533
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):5uA@22.8V,稳压值(范围):28.5V~31.5V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.10223
12475
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V