晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
100330
稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@4V,稳压值(范围):6.46V~7.18V,耗散功率(Pd):1W
YANGJIE(扬杰)
SOD-523
¥0.0784
4940
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.08421
73737
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
DO-213AC
¥0.0777
144805
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.08
247239
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):250 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0807
3750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):50nA@21V,稳压值(范围):28V~32V
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.12896
7767
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0792
19389
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.08988
28360
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±1.94%,功率 - 最大值:590 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.073
12015
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6.5 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0858
25969
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):14.7V~15.3V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.088407
92821
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.086
3560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2.22%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.09842
35200
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):20Ω
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.106656
4560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.10473
93830
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@4V,稳压值(范围):6.46V~7.18V
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.1038
8800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):22.8V~25.6V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1045
7591
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.1075
4100
稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):10.78V~11.22V,耗散功率(Pd):150mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1075
3840
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):4.09V~4.52V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.106
24716
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16.18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.112
51502
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
38895
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):25uA@1V,稳压值(范围):4.06V~4.56V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.168
6070
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.1176
1513
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):29 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.12
28720
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):500nA@13.7V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1217
60820
稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):7.12V~7.88V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.122
5556
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.14%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.12253
9261
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.124
1762
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5.41%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1041
64531
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 13 V
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.124
29401
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.88%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1425
5400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):5V~5.2V
ST(先科)
LL-41
¥0.129
13570
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):5uA@8.4V,耗散功率(Pd):1W
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-882
¥0.1422
9690
稳压值(标称值):3.3V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):200mW
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.134
16218
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):91 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):400 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 69 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.13
9968
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.6 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1464
620
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
MELF
¥0.1541
570
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.113
29677
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
DOWO(东沃)
DO-41
¥0.155
30532
稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):100nA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):350Ω
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.19
5800
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.1382
13258
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.167485
1780
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,稳压值(范围):9.5V~10.5V,耗散功率(Pd):1.5W
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1516
10
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
ZHIDE(志得)
SMA
¥0.17632
10300
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):500nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V,耗散功率(Pd):1W
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.2
1140
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6.93 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 200 mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.198
66593
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.195
25333
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.1908
12010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.47V~4.94V