Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0942
1400
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.098
2372
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±7%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
ST(先科)
DO-41
¥0.0995
22153
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):150uA@1V,稳压值(范围):3.14V~3.47V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.0978
22536
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0956
68092
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0823
11647
反向电流(Ir):5uA@3.5V,耗散功率(Pd):500mW,阻抗(Zzt):7Ω,阻抗(Zzk):1.6kΩ
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.102
5913
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1412
2564
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 8.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
LGE(鲁光)
MELF
¥0.1484
9170
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):5uA@22.8V,稳压值(范围):27V~33V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1355
2449
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.134
19881
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 nA @ 18.2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.159093
10607
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
GOODWORK(固得沃克)
DO-214AA(SMB)
¥0.167485
3500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):1uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.179455
2460
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
Slkor(萨科微)
SMB(DO-214AA)
¥0.1783
1950
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):2.5Ω
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1855
12250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):5uA@16.7V,稳压值(范围):20.9V~23.1V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.22672
17120
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA,工作温度:-55°C ~ 150°C
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2223
5020
稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):25Ω
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC
¥0.2184
34905
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):35 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):18 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 25 V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.3
20000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):31V~35V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.3234
1295
稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):48Ω
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.038
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.42
29889
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):86 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 42.6 V
VISHAY(威世)
DO-213AB
¥0.416
270835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.444
24588
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 13.7 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.351
60621
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 7 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.5221
30771
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 15.2 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.484407
14704
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:35.5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
DO-27
¥0.7356
104125
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 9.1 V
晶导微电子
SOD-123W
¥0.015742
1428700
稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4.0V,稳压值(范围):6.4V~7.2V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
23643
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA@1.0V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
11350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):100nA@25.2V,稳压值(范围):34V~38V
华轩阳
LL-34
¥0.0304
1450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA@20V,稳压值(范围):25.1V~28.9V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03744
18200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2.0V,稳压值(范围):4.4V~5V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0328
104842
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.03359
312889
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0364
127883
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.039
12750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.038
20950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):5.8V~6.6V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
67096
稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):5.8V~6.6V,耗散功率(Pd):500mW
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.04408
1350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0597
345240
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14 V
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.04365
1850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4.4V~5V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0478
892911
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0484
26209
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@16.8V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.04156
58904
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):43V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):40V~46V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.052915
2850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@16.8V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0513
182450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
晶导微电子
SOD-123
¥0.054
1500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@19V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.055
3580
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):500nA@3.5V,稳压值(范围):6.4V~7.2V