PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0825
24291
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3.5 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0896
13480
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):1uA@76V,稳压值(范围):95V~105V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.095
26907
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):33 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 18 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.09641
14721
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
ST(先科)
LL-34
¥0.092
3200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0922
3050
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1001
21060
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):75 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 27.3 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.077
1189260
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):130 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 27.3 V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.094
13130
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.08508
20272
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1027
25828
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3.5 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.075
332197
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1157
5690
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.106
23748
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11.2 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1
13204
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0989
169019
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.112
148902
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1274
7406
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.88%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.1352
12075
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
DO-204
¥0.13
13739
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.14
529
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.1039
21513
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1144
3612
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.19698
2945
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.180279
2454
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
VISHAY(威世)
DO-35(DO-204AH)
¥0.2258
840
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.158
7834
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.20538
33577
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):50uA@6.0V,稳压值(范围):6.75V~8.25V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.215
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.158
12036
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):5.2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7.5 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2352
2304
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):3.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 4 V
ST(先科)
LL-41
¥0.2331
9687
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):62V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.3117
11510
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):5uA@4.0V,稳压值(范围):5.58V~6.82V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2969
19173
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):1uA@13.7V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
DIODES(美台)
SMA
¥0.3144
64546
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.3948
28894
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):24 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15 µA @ 1 V
MSKSEMI(美森科)
SMB(DO-214AA)
¥0.553375
2110
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):28V,耗散功率(Pd):5W
LGE(鲁光)
SMB
¥0.57672
2470
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):5.89V~6.51V
MSKSEMI(美森科)
SMB(DO-214AA)
¥0.553375
1320
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W
onsemi(安森美)
SMB
¥0.5829
15763
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 22.8 V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.503
48416
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.06%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 µA @ 1 V
ZHIDE(志得)
DO-214AB(SMC)
¥0.627
8440
稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V,耗散功率(Pd):5W
onsemi(安森美)
SMA
¥0.525096
11020
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):17.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 16.7 V
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.699
12165
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.845V~5.355V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.6959
5810
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.9 V
onsemi(安森美)
DO-27
¥1.05
36969
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 1 V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.01989
4350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.03198
3850
稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14.0V,稳压值(范围):19V~21V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323W
¥0.022345
6300
稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):120uA@0.5V,稳压值(范围):1.8V~2.15V,耗散功率(Pd):300mW
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.02448
2300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA@20V,稳压值(范围):25.1V~28.9V