JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123W
¥0.0491
1966
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):500mW
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03105
10100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@16.8V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.03752
3900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):5V~5.2V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03656
12700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.04047
27775
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.043985
12805
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.037525
27460
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.04047
11290
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):43V,反向电流(Ir):100nA@32V,稳压值(范围):40V~46V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0462
79300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):14.7V~15.3V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-523
¥0.045588
2450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.02318
2600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7.5V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0463
205388
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,稳压值(范围):22.8V~25.6V,耗散功率(Pd):300mW
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.047
11978
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0424
5800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7.5V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.046
70111
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.058
217717
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):42 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.0525
6716
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
ElecSuper(静芯)
SOD-123
¥0.0539
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):4.85V~5.36V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0506
591233
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
ST(先科)
TO-236
¥0.047
54278
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0532
448962
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):18.8V~21.2V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0569
2590
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05637
143512
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,稳压值(范围):7V~7.9V,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0542
527434
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.060956
164544
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.06745
2240
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,稳压值(范围):11.4V~12.6V,耗散功率(Pd):1W
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0782
18256
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA@5.7V,稳压值(范围):7.13V~7.88V
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.06745
2800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.76V~12.24V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0741
22253
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0821
237749
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.073
214482
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):200 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2.5 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.075141
304539
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.078755
7400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):200nA@52V,稳压值(范围):54V~72V
ST(先科)
SOD-323
¥0.088
7890
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):120uA,稳压值(范围):1.8V~2.15V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0607
116787
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.083655
245244
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.0912
960
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):220V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):209V~231V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.093884
13920
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.093688
22120
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.09755
34951
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.096138
204179
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1026
133816
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.07398
1961
稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):25Ω
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1575
8581
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.104
68272
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.125
43767
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.1375
9624
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.07 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):130 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
MELF
¥0.1484
32450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):23.52V~24.48V
onsemi(安森美)
SOD-323F
¥0.147
2865
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):89 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
MELF
¥0.1645
9655
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V