CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.07831
91000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
50980
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):31V~35V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.06542
26973
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 9.1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0617
17146
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):7.13V~7.88V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.0805
3480
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):10uA@1V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.07488
448603
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.07461
920
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):17.64V~18.36V
德昌电子
SOD-123
¥0.074
2200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):56V,反向电流(Ir):45nA@39.2V,稳压值(范围):53.2V~58.8V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.08029
44697
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.08226
96238
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 18.9 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
25106
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):47V,反向电流(Ir):1uA@35V,稳压值(范围):44.9V~49.8V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
29195
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):5uA@25V,稳压值(范围):31.3V~34.9V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.081774
23254
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.078
126842
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.49V~5.71V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.08585
58787
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323
¥0.093
2320
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.15935
9250
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±2.06%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.07613
39277
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15.4 V
Nexperia(安世)
DO-213AC
¥0.094575
84746
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.09731
763261
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):28.2V~32V
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.0941
500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.76V~12.24V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.0971
52445
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2.12%,功率 - 最大值:590 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
36934
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 16.8 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.104
98395
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.112
6756
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
Nexperia(安世)
SOD-882(DFN1006-2)
¥0.1061
48130
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.116
48698
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
ST(先科)
DO-41
¥0.13
548
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.11
4560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):93 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 33 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1999
6860
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.145
106782
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 2.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.162
6419
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 nA @ 22.8 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.179
12115
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6.4%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2115
9830
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):25.1uA@1.0V,稳压值(范围):29.7V~36.3V
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.195
89283
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2264
8791
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 2 V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.221
41042
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 11.4 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2387
2950
稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):4.465V~4.935V,耗散功率(Pd):1W
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.3458
26096
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):2uA,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):2.5Ω
DIODES(美台)
SMA
¥0.344
24697
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 6 V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.3414
4475
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):25uA@1.0V,稳压值(范围):3.71V~4.1V
VISHAY(威世)
DO-41 (DO-204AL)
¥0.3911
2405
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):22 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 15.2 V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.451345
7215
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):6.4V~7.2V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2423
11
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 12.2 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.7951
8117
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±1%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323W
¥0.02071
4900
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V,耗散功率(Pd):300mW
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.02142
5635
稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):2.28V~2.56V,耗散功率(Pd):500mW
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.0275
6584
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):350mW
JSMSEMI(杰盛微)
MiniMELF
¥0.02988
2500
稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):100nA@27V,稳压值(范围):34.2V~37.8V,耗散功率(Pd):500mW
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
8197
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7.0V,稳压值(范围):9.4V~10.6V