VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.1556
3820
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
MSKSEMI(美森科)
SMA(DO-214AC)
¥0.167485
7080
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2.5uA@1.5V,稳压值(范围):4.46V~4.94V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.1715
9182
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,工作温度:-55°C ~ 150°C
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.1956
4760
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.58V~6.82V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.225
19264
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11.4 V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.235
5092
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 13.7 V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.212
4490
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):3.13V~3.47V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.32
380712
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.06%,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 µA @ 1 V,工作温度:150°C(TJ)
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.26424
14010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):150V,反向电流(Ir):1uA@110V,稳压值(范围):138V~156V
DIODES(美台)
SMA
¥0.35
34326
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 7 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.4167
112431
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
VISHAY(威世)
DO-213AB
¥0.5876
21850
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.73748
4475
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 6.9 V
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.861
13405
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6.39%,功率 - 最大值:1.25 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 13 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.597
20797
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):25 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 19 V
onsemi(安森美)
插件,D3.3xL8.4mm
¥1.04801
18129
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 3 V
onsemi(安森美)
SMB
¥1.8905
2319
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.021113
24400
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):17.1V~18.9V,耗散功率(Pd):500mW
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0237
55138
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):18.8V~21.2V
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0275
65150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):300mW
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.0303
11000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):700nA@5.0V,稳压值(范围):7.7V~8.7V
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0371
31172
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.043795
4655
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.04503
1300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
142440
稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V,耗散功率(Pd):500mW
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.0633
2500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.68V~16.32V
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.04644
20880
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4V~4.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0467
11186
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):18.8V~21.2V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0473
236314
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
ST(先科)
TO-236
¥0.0355
18414
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.046
387686
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~14.1V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0499
218961
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
KUU(永裕泰)
SOD-523
¥0.0519
90300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0545
201754
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3.0V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.058
2040
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.5V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):2.7V~2.9V
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.05815
90438
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0597
344033
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0466
358521
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):500nA@1V,稳压值(范围):7V~7.9V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.054
387081
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.49V~5.73V
德昌电子
SOD-323
¥0.051606
17900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):630nA@5V,稳压值(范围):8.04V~8.36V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0553
333150
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
42223
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA@2V,稳压值(范围):4.4V~5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0671
129423
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.8V~10.2V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0606
48792
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.08
119379
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25.2 V
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.0676
13443
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
75137
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0759
218310
稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.5V~4.93V,耗散功率(Pd):1W
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.07997
23990
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.0825
113848
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V