PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0701
15523
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):105 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 36 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.078
50129
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.07935
55430
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 4 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0833
11264
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):37.05V~40.95V
ST(先科)
DO-41
¥0.1
454
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@9.9V,功率(Pd):1W
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0973
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.1V,反向电流(Ir):60uA@1.0V,稳压值(范围):3.01V~3.22V
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.09162
69480
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0988
22585
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0903
10240
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
177637
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):58 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0569
2895
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.11
69565
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.1118
11212
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
105170
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18V,稳压值(范围):22.8V~26V
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.096624
82432
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 700 mV
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.127
7835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.125
178487
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
LRC(乐山无线电)
DO-214AC
¥0.1456
24912
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):9.1uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.140481
213126
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):480 Ohms
Slkor(萨科微)
DO-214AA
¥0.16497
2240
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V,耗散功率(Pd):3W
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.1872
9593
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.2205
6408
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.2115
250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@9.9V,耗散功率(Pd):1W
LRC(乐山无线电)
DO-214AC
¥0.1489
41000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):2uA,耗散功率(Pd):1W
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.304
9090
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):1uA@20.6V,稳压值(范围):24.3V~29.7V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.385
112360
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 12.2 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.49
3118
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.5302
5
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
12011
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0372
42900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7.0V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0383
20780
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.042
69827
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.49V~5.71V
ST(先科)
LL-34
¥0.044
139643
稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):6.4V~7.2V,耗散功率(Pd):500mW
ST(先科)
SOD-523
¥0.0438
19656
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0521
23193
稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V,耗散功率(Pd):500mW
LGE(鲁光)
LL-34(Mini-MELF)
¥0.050635
4222
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):2uA@1.0V,稳压值(范围):3.53V~3.67V
德昌电子
SOD-323
¥0.08612
430
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):900nA,稳压值(范围):5.32V~5.88V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0566
168657
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4.0V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.056
601327
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@23V,稳压值(范围):28.5V~31.5V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0551
810432
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):28V~32V
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0552
62350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0494
357780
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.49V~5.71V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0617
708069
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 3.5 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06854
12066
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5.42%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
德昌电子
LL-34
¥0.0723
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):1.8uA@2V,稳压值(范围):5V~5.2V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.073
1878
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 1.5 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 10 mA
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0787
41249
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.075
42341
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±7.41%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.085
30931
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):44 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0831
170590
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V