Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0683
536197
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.06759
15085
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):5Ω
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0877
69687
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
¥0.0895
219515
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0899
144416
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
FOSAN(富信)
SMA
¥0.104595
600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0962
52015
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1155
12965
稳压值(标称值):16V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):16Ω,阻抗(Zzk):700Ω
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.12
84161
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 6.9 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.123
9851
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0718
28292
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V,耗散功率(Pd):500mW
MDD(辰达行)
SMA
¥0.1265
1390
稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA@6V,稳压值(范围):7.79V~8.67V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.147
18884
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1862
30130
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7.6V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.165
43912
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):14.3V~15.8V
晶导微电子
SMA
¥0.1705
24641
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.155
12937
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.21
18492
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.21528
8250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):1uA@12.2V,稳压值(范围):15.2V~16.8V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.30742
12990
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):1uA@13.7V,稳压值(范围):16.2V~19.8V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.4143
2075
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):14.25V~15.75V
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.105
19402
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):14.25V~15.75V,耗散功率(Pd):1W
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.379
14303
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):27 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 38.8 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.380754
28425
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):3.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 6.5 V
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323W
¥0.02398
2850
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):300mW
JUXING(钜兴)
MiniMELF(LL-34)
¥0.02444
3095
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0275
62000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,稳压值(范围):4.4V~5V,耗散功率(Pd):300mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123W
¥0.02946
3850
稳压值(标称值):56V,反向电流(Ir):1uA@43V,稳压值(范围):52V~60V,耗散功率(Pd):500mW
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.02995
108410
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0319
12960
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0273
16186
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.2V,反向电流(Ir):75uA,稳压值(范围):2.08V~2.35V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0363
52645
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@23V,稳压值(范围):28.5V~31.5V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0353
5450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0365
351350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4.0V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.04632
9750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0477
12750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0469
1509783
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):18.8V~21.2V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0515
249421
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.84V~5.36V
德昌电子
SOD-123
¥0.06843
5580
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):90nA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
FUXINSEMI(富芯森美)
LL-34
¥0.0545
1750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.1V~3.5V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.053865
9680
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):1.8V~2.15V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05356
228047
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):15.2V~16.8V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.059
11467
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±7%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 18.9 V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0631
113499
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1.5 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0572
14781
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):2.2V~2.6V
ROHM(罗姆)
SOD-323
¥0.0685
284149
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2.5 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0542
547131
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
Prisemi(芯导)
SOD-523
¥0.0681
2594
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@4.2V,耗散功率(Pd):500mW
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0977
196
稳压值(标称值):2.5V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):2.38V~2.63V,耗散功率(Pd):500mW
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
34017
稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA@5V,稳压值(范围):7.12V~7.88V,耗散功率(Pd):1W