ST(先科)
LL-34
¥0.044
47300
稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA@22V,稳压值(范围):28V~32V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.04419
20900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.32V~5.88V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0459
51976
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):11.4V~12.7V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23(TO-236)
¥0.04446
1700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0476
834935
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):500nA@50V,稳压值(范围):2.2V~2.6V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0545
17912
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.14%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0585
128227
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 16.8 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0608
233945
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):25uA@1V,稳压值(范围):3.14V~3.47V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0704
224394
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):8.27V~9.14V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
172041
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):16.8V~19.2V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.078
8580
二极管配置:1对共阳极,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31V~35V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.0766
320
稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):100uA@1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):10Ω
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0796
130793
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.09755
42548
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.080544
45456
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.088
42153
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1314
4647
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0895
38979
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4 µA @ 2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.065
77991
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-41G
¥0.12339
2480
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7.6V,耗散功率(Pd):1W
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.1379
12330
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):91V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):86V~96V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1597
8910
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.179
7119
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±6.7%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.243
4835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 7.6 V
onsemi(安森美)
SC-79,SOD-523
¥0.19864
24572
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.4704
35358
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 19 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.42294
7240
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4399
16345
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 29.7 V
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.6118
7579
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±10%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 9.1 V
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.89127
12819
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA@9.4V,稳压值(范围):12.35V~13.65V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.02298
114393
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):100nA@6.8V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
华轩阳
LL-34
¥0.02267
51149
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):10.4V~11.6V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0297
15930
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4.4V~5V
DOWO(东沃)
SOD-123
¥0.032
3250
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):500mW
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0311
86594
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2.5V,稳压值(范围):5.2V~6V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0352
18380
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0331
149046
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):10.45V~11.55V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.03338
14365
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):2.85V~3.15V
JUXING(钜兴)
SOD-323
¥0.03515
300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0342
17675
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):11.4V~12.7V
ST(先科)
SOD-123
¥0.0449
197399
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):1uA@3V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
ST(先科)
SOD-323
¥0.0473
27174
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.047
1703127
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,稳压值(范围):6.4V~7.2V,耗散功率(Pd):200mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0484
12153
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@1.0V,稳压值(范围):31V~35V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0481
43647
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.04216
8450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0486
801330
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
ST(先科)
TO-236
¥0.0572
19853
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0583
14240
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):100nA@6.8V,稳压值(范围):8.5V~9V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
48676
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.8V~10.2V