CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0791
42653
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
34773
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):19V~21V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.07208
17200
二极管配置:1对共阳极,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):300nA@6.0V,稳压值(范围):8.65V~9.56V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.04597
19054
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA,稳压值(范围):2.2V~2.6V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0658
402092
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±3%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
13010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):91V,反向电流(Ir):1uA@69V,稳压值(范围):86V~96V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.09196
5700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.11286
8680
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.2V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.11416
47765
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.86V~6.51V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1304
5749
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±8%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1323
3980
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3.5 V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.122835
4890
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):12.4V~14.1V
JUXING(钜兴)
DO-41
¥0.120745
60
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9.1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):9Ω
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.1696
3225
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):31.4V~34.7V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.106
23554
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.142
11498
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):19 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14.4 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2756
2315
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):180V,反向电流(Ir):1uA@130V,稳压值(范围):168V~191V
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.33516
32995
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):4.845V~5.355V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.33417
3570
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):75uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.355
38105
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 µA @ 1 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.3729
35414
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.416
4592
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6.1%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.5068
8710
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):19 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 18.2 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.53
34535
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):3 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 6 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.473195
3150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):500nA@15.2V,耗散功率(Pd):5W
LGE(鲁光)
SMB
¥0.78075
2910
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):50uA@1.0V,稳压值(范围):3.71V~4.1V
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.020808
7885
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V,耗散功率(Pd):500mW
JSMSEMI(杰盛微)
LL-34
¥0.019278
2500
稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V,耗散功率(Pd):500mW
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0273
10695
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):4V~4.6V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0271
14414
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~13.1V
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
1150
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA@16.8V,稳压值(范围):22.8V~25.6V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03195
12350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0319
11260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@2V,稳压值(范围):5.2V~6V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0431
133911
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
ST(先科)
SOD-123
¥0.04784
10863
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):25V,反向电流(Ir):100nA@19V,稳压值(范围):23.75V~26.25V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.045
901866
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.04797
9840
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0496
21730
稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):3.1V~4.1V,耗散功率(Pd):200mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.046
22660
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):25.1V~28.9V
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.05193
1300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):16.8V~19.1V
德昌电子
SOD-123
¥0.05546
8080
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):4.5uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V
晶导微电子
SOD-123
¥0.054
600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.05439
427904
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):500nA@9.9V,稳压值(范围):12.35V~13.65V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.036072
35792
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0634
161479
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0589
20494
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):4.8V~5.4V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
137345
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~14.1V,耗散功率(Pd):300mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
72583
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4.0V,稳压值(范围):6.08V~6.32V
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.07334
51900
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):19V~21.2V
德昌电子
SOD-123
¥0.07316
25575
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):45nA,稳压值(范围):26.46V~27.54V