TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0372
25950
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):12.4V~14.1V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.04025
3400
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):50nA@14.0V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0418
20170
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.7V~15.3V,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0486
9558
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):2.8V~3.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0579
27392
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.048
435944
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):2.2V~2.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0527
76119
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):120uA@1.0V,稳压值(范围):3.32V~3.53V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0728
24024
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1.0V,稳压值(范围):4V~4.6V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0588
105716
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0572
369746
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,稳压值(范围):31V~35V,耗散功率(Pd):500mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0722
35515
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@15V,稳压值(范围):19V~21V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.055
9969
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@4V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.075
16679
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±1.96%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
538366
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.32V~5.92V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.074
78874
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.09672
75267
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0965
15026
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.105
24741
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1045
248241
二极管配置:1对共阳极,反向电流(Ir):100nA@0.8V,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):300mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.111
4420
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.47V~4.94V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.113
12655
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5.42%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.113
40425
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.12272
50550
类型:齐纳,单向通道:2,电压 - 反向断态(典型值):22V,电压 - 击穿(最小值):25.65V,不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):40V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.144
53282
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 800 mV
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.17888
28280
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5.5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.22383
24035
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.2149
3550
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.28542
5649
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.8533
1650
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5.2 V
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0275
205000
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):50nA@43.4V,稳压值(范围):58V~66V,耗散功率(Pd):300mW
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.0267
5026
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.7V~4.1V
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.0404
6850
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):8.5V~9.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0509
546183
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~14.1V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.04702
29379
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA@1V,稳压值(范围):4V~4.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0572
20654
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):37V~41V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0509
15930
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.046
439100
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA@50V,稳压值(范围):4.4V~5V
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0509
2350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):100nA@12V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
晶导微电子
SOD-123
¥0.054
1750
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0529
24618
稳压值(标称值):56V,反向电流(Ir):100nA@42V,稳压值(范围):53V~59V,耗散功率(Pd):500mW
LGE(鲁光)
LL-34(Mini-MELF)
¥0.054815
15500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):2.51V~2.89V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0603
14355
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):20uA@1.0V,稳压值(范围):2.5V~2.9V
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.06372
11454
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0671
789570
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
387165
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA@3V,稳压值(范围):5.86V~6.51V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
134905
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18V,稳压值(范围):22.8V~26V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
611955
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.32V~5.92V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0804
54598
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
GOODWORK(固得沃克)
SMA
¥0.080495
11180
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):5uA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0879
64305
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V