ROHM(罗姆)
SOD-323
¥0.0685
284149
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2.5 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0542
547131
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):13.8V~15.6V
UMW(友台半导体)
SMAF
¥0.1196
5977
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
Prisemi(芯导)
SOD-523
¥0.0681
2594
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA@4.2V,耗散功率(Pd):500mW
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0977
196
稳压值(标称值):2.5V,反向电流(Ir):100uA,稳压值(范围):2.38V~2.63V,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
MBS
¥0.06488
24541
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
34017
稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA@5V,稳压值(范围):7.12V~7.88V,耗散功率(Pd):1W
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0701
15523
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):105 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 36 V
华轩阳
SMA
¥0.071535
10940
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.0715
3480
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.3V@300mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMAF(DO-214AD)
¥0.0657
5280
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.078
50129
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.07407
11476
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-323
¥0.041748
101912
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.08424
6405
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SMA
¥0.0817
40125
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.07935
55430
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 4 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0828
1740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.0805
435709
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0833
11264
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):37.05V~40.95V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.08523
940
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
ST(先科)
DO-41
¥0.1
454
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@9.9V,功率(Pd):1W
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0973
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.1V,反向电流(Ir):60uA@1.0V,稳压值(范围):3.01V~3.22V
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.09162
69480
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMD1006(0402)
¥0.08384
7020
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0988
22585
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0903
10240
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1
29300
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1
177637
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):58 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.08647
49762
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@0.5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0569
2895
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.11
69565
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.1118
11212
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1359
7910
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
晶导微电子
SMC
¥0.121
83001
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
晶导微电子
SMC
¥0.121
149521
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
105170
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18V,稳压值(范围):22.8V~26V
LRC(乐山无线电)
SMB
¥0.1248
514110
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.096624
82432
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 700 mV
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.127
7835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.125
178487
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
DIODES(美台)
SMA
¥0.20142
95750
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.13
249764
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
MicroSMP
¥0.1777
193049
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB
¥0.1376
4460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC
¥0.14124
24707
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):9.1uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.1323
12030
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0699
73417
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.12402
12308
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-523F
¥0.1372
7967
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度