MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.1456
71972
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SOD-323HE
¥0.15656
7110
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@700mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.163
104505
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Tokmas(托克马斯)
DO-214AC
¥0.1681
3750
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.140481
213126
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):480 Ohms
ST(意法半导体)
MiniMELF
¥0.179
1259
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.182
815025
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 700 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.2367
2483
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@9A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
PowerDI323
¥0.1976
51578
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1976
20654
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.1939
0
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.2079
84917
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
WILLSEMI(韦尔)
FBP1608-2L
¥0.19032
63148
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
DO-214AB(SMC)
¥0.19978
43721
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.22568
1646
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Slkor(萨科微)
DO-214AA
¥0.16497
2240
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V,耗散功率(Pd):3W
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.1872
9593
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.2205
6408
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.2115
250
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@9.9V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SMA
¥0.224
161394
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Tokmas(托克马斯)
DO-214AA
¥0.2015
190
正向压降(Vf):840mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC
¥0.1489
41000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):2uA,耗散功率(Pd):1W
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.2236
127530
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):700mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 700 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.141
29996
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.2288
5199
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC
¥0.264
68834
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@200V
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.08372
15006
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.27768
5505
直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@200V,工作结温范围:-55℃~+150℃
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.16755
3514
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
DSN1006-2
¥0.241758
72403
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.2891
207645
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SMC
¥0.2961
9201
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.30051
8674
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.3215
225
正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向恢复时间(Trr):75ns
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.304
9090
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):1uA@20.6V,稳压值(范围):24.3V~29.7V
JUXING(钜兴)
TO-252
¥0.29792
2510
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SMA
¥0.34
96031
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
KBP
¥0.33181
12666
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LGE(鲁光)
SMC
¥0.3339
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.3172
8993
二极管配置:1 对串联,二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
ST(先科)
SMA(DO-214AC)
¥0.4179
0
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.332
11418
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.4325
9770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):410mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SMA
¥0.4469
55965
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.385
112360
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 12.2 V
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.49
3118
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.42442
55889
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.335552
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.5834
3145
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):860mV@4A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A
DIODES(美台)
SMA
¥0.562
22066
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)