晶导微电子
SOD-123F
¥0.0428
447012
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.046128
42170
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.046
22542
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):22.8V~29V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0495
191774
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA@9.1V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.04216
2350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):100nA@23.1V,稳压值(范围):31V~35V
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.04941
3200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05304
18376
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0678
29838
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):5.89V~6.51V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0649
722213
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.06926
22424
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.0688
7871
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):220mV@0.1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06
59192
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):6.46V~7.14V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.08081
59197
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
ROHM(罗姆)
SC-85
¥0.08601
184736
二极管配置:1 对共阴极,技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.0874
11480
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@50mA,直流反向耐压(Vr):175V,整流电流:100mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.08736
16969
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMB
¥0.099
295101
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.1026
17280
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.098
34430
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 8 V
KEXIN(科信)
DO-214AC(SMA)
¥0.1061
3950
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.1089
9337
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.112
98591
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.112575
6500
正向压降(Vf):850mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):20uA@60V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMC
¥0.11336
28038
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.118
101426
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 5 V
onsemi(安森美)
SOD-323F
¥0.12792
25439
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.08746
20839
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.127
52458
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):24 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15 µA @ 1 V
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.13851
970
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.1627
8290
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.147
16258
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):6V,反向电流(Ir):10nA@6V,二极管电容(CT):45pF
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.165
5228
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DO-41
¥0.162459
15485
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 µA @ 1 V
Tokmas(托克马斯)
DO-214AA
¥0.1566
1150
正向压降(Vf):450mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@40V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1903
40260
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.179
3753
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.185
23341
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
SOD-523
¥0.185
76367
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.2542
3410
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.1 V,安装类型:表面贴装型
Nexperia(安世)
SC-79,SOD-523
¥0.2174
10002
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.2352
7455
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.36684
2845
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.366
92145
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.362
56394
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.3276
121322
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.529
58002
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.56106
4742
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.505
58497
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):520mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 400 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.452
91686
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.2 kOhms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 152 V
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.7052
137520
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):985 mV @ 8 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)