YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.13832
14622
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SMB(DO-214AA)
¥0.12096
16268
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.15064
5250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.1573
22482
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.16606
27414
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.17056
13995
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.18544
38200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.203
18847
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1903
164627
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1608-2
¥0.495
40067
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DOWO(东沃)
SMB(DO-214AA)
¥0.21736
31457
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA@9.9V,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):2.5Ω
onsemi(安森美)
SOD-323F
¥0.22
2445
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900 nA @ 8 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2841
38680
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):27V~33V
停产
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.1895
17879
二极管配置:1 对串行连接,技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.2236
284821
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.2288
7625
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SC-76,SOD-323
¥0.2627
19370
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-323HE
¥0.1384
39939
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
Infineon(英飞凌)
SC-76,SOD-323
¥0.271
56439
二极管类型:标准 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):35V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:1.1pF @ 3V,1MHz,不同 If、F 时电阻:500 毫欧 @ 10mA,100MHz
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.3276
27275
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMC
¥0.31725
8005
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@15A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.347
1687
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):1mA@40V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4097
48044
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5 µA @ 1 V
晶导微电子
MBS
¥0.4004
23151
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.42
31045
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.5112
6535
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):890mV@4A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A
MDD(辰达行)
MBF
¥0.4945
21690
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.676
28075
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SC-79,SOD-523
¥0.833
9640
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):3V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:0.85pF @ 0.2V,1MHz,功率耗散(最大值):100 mW
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB-3
¥1.056
892
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@30A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:30A
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.92697
41886
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):985 mV @ 8 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMC(DO-214AB)
¥0.9672
5387
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SKYWORKS(思佳讯)
SC-79,SOD-523
¥1.88
125
二极管类型:PIN - 单,电压 - 峰值反向(最大值):50V,不同 Vr、F 时电容:0.3pF @ 30V,1MHz,不同 If、F 时电阻:900 毫欧 @ 10mA,100MHz,功率耗散(最大值):250 mW
JUXING(钜兴)
SOD-123FL
¥0.020045
21200
正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.01986
11970
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
华轩阳
LL-34
¥0.02318
5350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.4V~14.1V
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-214AC(SMA)
¥0.02264
44930
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0237
636421
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.024225
3650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.02725
23253
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
华轩阳
SOD-323
¥0.0288
40250
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.03268
500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0284
95360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.03105
13316
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03472
16500
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.04275
8597
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-123
¥0.0385
997950
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@20V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.05394
8023
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.041225
12350
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
ST(先科)
SOD-123
¥0.0449
123360
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V