不适用于新设计
onsemi(安森美)
SDIP-4
¥1.7947
22788
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
SKYWORKS(思佳讯)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥4.09
145
二极管类型:标准 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):20V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz,不同 If、F 时电阻:1.5 欧姆 @ 10mA,100MHz
MICROCHIP(美国微芯)
DO-214BA
¥5.18
265
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):15 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):220 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOD-123F
¥0.022135
30150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMA
¥0.0231
52691
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0231
35599
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
华轩阳
SOT-23
¥0.02576
40560
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.03446
41788
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
LL-34(SOD-80)
¥0.03173
9610
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V,耗散功率(Pd):500mW
JUXING(钜兴)
SOD-123
¥0.031635
4650
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA@7.0V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
LGE(鲁光)
SOD-523
¥0.0341
18050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:125mA
YFW(佑风微)
SOD-123FL
¥0.0348
4000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.03325
13950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:300mA
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.04092
274745
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.048825
18337
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0471
26920
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:350mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.050445
4882
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123
¥0.0513
6623
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0467
14963
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.4V~7.2V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0495
137878
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):18 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0756
24783
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@15mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.0669
800
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0781
21678
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):28.5V~31.5V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0837
30819
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@50mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-923
¥0.0655
187273
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.069
58051
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-723
¥0.0817
23098
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0676
32889
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
YANGJIE(扬杰)
MBLS
¥0.1164
5238
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.08136
20140
正向压降(Vf):850mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0683
139359
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 2 V
华轩阳
LL-41
¥0.08968
10270
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,稳压值(范围):5.04V~6.16V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0902
100314
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.0972
9825
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.095
159775
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MCC(美微科)
SC-76,SOD-323
¥0.1
28313
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-41
¥0.12
429266
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SMAF
¥0.1147
26338
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.1217
258095
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.11409
114247
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.14
24295
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.11232
15855
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.1562
958008
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@60V
德昌电子
DO-41
¥0.1794
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,稳压值(范围):17.1V~18.9V
MDD(辰达行)
DBS
¥0.19767
54062
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.23712
657490
二极管类型:超级势垒,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.22
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.294
3295
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.29115
21445
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5V,反向电流(Ir):5uA@2V,稳压值(范围):4.59V~5.61V
MCC(美微科)
DO-214AB(SMC)
¥0.3328
10002
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 50 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)