VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.25308
2805
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
SMB
¥0.33498
3986
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA@3V,稳压值(范围):5.32V~5.88V
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.27352
16991
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.327
299533
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.337
54099
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):970 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.3991
9707
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.491
4422
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.356
270471
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SMA(DO-214AC)
¥0.2926
3720
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
MBS
¥0.4731
815
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.59904
7119
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.6V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.7647
4265
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:5 W,阻抗(最大值)(Zzt):1.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 5.7 V
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.89544
50507
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.94
121376
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JUXING(钜兴)
GBJ
¥1.84
250
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1kV
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0186
16860
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
SOD-323
¥0.022
50128
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):5uA@30V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):13A
MDD(辰达行)
SMA
¥0.02968
167600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.03325
29221
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0355
2806
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.0377
13456
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.9V,反向电流(Ir):13uA@1V,稳压值(范围):3.7V~4.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07956
10054
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA
ST(先科)
LL-34
¥0.044
154180
稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):2uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V,耗散功率(Pd):500mW
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.04212
18837
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.07137
11451
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):875mV@3A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0454
22879
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):100nA@15.4V,稳压值(范围):20.8V~23.3V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0441
339746
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16.2V,反向电流(Ir):50nA@11.2V,稳压值(范围):15.3V~17.1V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0596
20213
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6.0V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0569
1760
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.051015
88392
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.0592
7350
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.8V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.06261
638553
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.34V~14.98V,耗散功率(Pd):500mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06417
16943
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2.22%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.0755
1750
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.0679
6100
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0793
123349
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
德昌电子
SOD-123
¥0.07316
540
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):180nA@7V,稳压值(范围):9.8V~10.2V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
209455
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):25uA@1V,稳压值(范围):4.06V~4.56V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.085
177396
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-723
¥0.0885
12720
正向压降(Vf):350mV@10mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10uA@10V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0891
63353
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMAF(DO-214AD)
¥0.091
2300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
JUXING(钜兴)
DBS
¥0.11648
13580
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.122645
2330
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1049
57153
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.1232
27279
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.091
303361
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6.5 V
ST(先科)
LL-41
¥0.133
3755
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA@2V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.12898
51338
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.131
17676
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):41 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V