MDD(辰达行)
SOD-323
¥0.03446
666359
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0385
10098332
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
SMC(桑德斯)
SOD-123FL
¥0.067611
47960
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB
¥0.431
247107
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.8248
9967
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.038
1709993
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0649
1838430
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(意法半导体)
SOD-323
¥0.13086
19523
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.03338
161515
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):12.35V~13.65V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.05434
56028
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.085
185388
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
DIODES(美台)
DO-214AC,SMA
¥0.15821
355926
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.02958
262259
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.0456
82660
正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):400uA@40V
晶导微电子
SMA
¥0.0792
390656
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.088
426963
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.022
342839
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.05032
135567
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
晶导微电子
SMA
¥0.0792
756548
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11V,稳压值(范围):13.8V~15.8V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1102
272719
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323F
¥0.12
108933
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.136
45967
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):980mV@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SMB
¥0.315
244310
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0167
378397
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SMA
¥0.168
58318
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.08831
379245
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
LL-34
¥0.03058
79427
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):500mW
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0396
372033
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
DO-214AA(SMB)
¥0.06621
281451
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
Prisemi(芯导)
SOD-123FL
¥0.26453
63114
正向压降(Vf):380mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
JSMSEMI(杰盛微)
MiniMELF
¥0.0161
114748
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.03642
91628
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.09703
515163
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.1294
148509
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.185
3928908
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0345
570337
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.03338
338402
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):25.65V~28.35V
ST(先科)
SOD-523
¥0.0299
381360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:125mA
ROHM(罗姆)
SOD-323F
¥0.042
3770451
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SOD-123
¥0.0715
545820
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.2V
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.4056
357616
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.0353
38100
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.0827
155089
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.11
1372157
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0518
162756
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1033
165889
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.41875
28276
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.7161
72540
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
MiniMELF(LL-34)
¥0.0224
136216
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):5.2V~6V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0785
215333
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V