咨询/建议
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：32A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1700 V，电流 - 平均整流 (Io)：31A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1对共阴极，整流电流：44A，正向压降(Vf)：1.4V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：40A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：15A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 15 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：20A，直流反向耐压(Vr)：650V，反向电流(Ir)：1.1uA@650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：30A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 30 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：25A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1对共阴极，整流电流：19A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
停产
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：9.1A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
停产
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：15A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 15 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
停产
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
不适用于新设计
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
停产
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：16.5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：77A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
整流电流：6A，正向压降(Vf)：2.1V@6A，直流反向耐压(Vr)：600V，反向电流(Ir)：500nA@600V
二极管配置：独立式，整流电流：2A，正向压降(Vf)：1.5V@2A，直流反向耐压(Vr)：650V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.1 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
不适用于新设计
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：2A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：110A，正向压降(Vf)：1.4V@40A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，正向压降(Vf)：1.45V，直流反向耐压(Vr)：650V，反向电流(Ir)：12uA
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：50A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 50 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
停产
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不适用于新设计
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
停产
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns