STPSC10H12GY-TR
ST(意法半导体)
TO-263-2
¥17.4992
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碳化硅二极管
二极管类型:SiC (Silicon Carbide) Schottky,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 10 A,速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
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TO-263-2

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意法半导体(ST)
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1000+:¥32.8

500+:¥37.72

100+:¥41.0

30+:¥45.92

10+:¥55.76

1+:¥65.6

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
二极管类型 SiC (Silicon Carbide) Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1200 V
电流 - 平均整流 (Io) 10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.5 V @ 10 A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 60 µA @ 1200 V
不同\xa0Vr、F 时电容 725pF @ 0V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C