咨询/建议
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：2A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：19.1A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：33 µA @ 1200 V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：11.8A，正向压降(Vf)：1.4V@2A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.45 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：35A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
整流电流：8A，正向压降(Vf)：1.8V@8A，直流反向耐压(Vr)：600V，反向电流(Ir)：600nA@600V
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.8V@10A，直流反向耐压(Vr)：600V，反向电流(Ir)：800nA@600V
二极管配置：独立式，整流电流：30A，正向压降(Vf)：1.45V，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：9A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：16A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 16 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.95 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1对共阴极，整流电流：55A，正向压降(Vf)：1.4V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：51A，正向压降(Vf)：1.55V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：19A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：16A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 16 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1对共阴极，整流电流：17A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：7.2A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：30A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.1 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：8A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：16A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：12A，正向压降(Vf)：1.5V@12A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：34A，正向压降(Vf)：1.25V@16A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：73A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 30 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：19A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：41A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：24A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 7.5 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：39A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 16 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：20A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：30A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns，不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 µA @ 1200 V