咨询/建议
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.4V@2A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：13.5A，正向压降(Vf)：1.4V@4A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.5V，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：70A，正向压降(Vf)：1.5V@25A，直流反向耐压(Vr)：1.7kV
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.4V@2A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：20A，正向压降(Vf)：1.8V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：12A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：30A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：29A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：600V
二极管配置：独立式，整流电流：33A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：12A，正向压降(Vf)：1.5V@12A，直流反向耐压(Vr)：1.7kV
二极管配置：独立式，整流电流：86A，正向压降(Vf)：1.35V@20A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：20A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：24A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：19A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：37A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：20A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：6A，正向压降(Vf)：1.5V，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：55A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1对共阴极，整流电流：27.5A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：43.5A，正向压降(Vf)：1.6V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：33A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1对共阴极，整流电流：44A，正向压降(Vf)：1.5V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：1对共阴极，整流电流：40A，正向压降(Vf)：1.45V@40A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：14.4A，正向压降(Vf)：1.7V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.7kV
二极管配置：独立式，整流电流：20A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：45A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：24A，正向压降(Vf)：1.25V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：8A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：43.5A，正向压降(Vf)：1.6V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流(Io)：20A，正向压降(Vf)：1.5V，直流反向耐压(Vr)：650V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：18A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：21.5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：13.5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）