咨询/建议
二极管配置：独立式，整流电流：30A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：13.5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 4 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：24A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：3A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 3 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1对共阴极，整流电流：34A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：15A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1对共阴极，整流电流：56.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流(Io)：20A，正向压降(Vf)：1.45V，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：30A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：19A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：38A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：33A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：8A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：24A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1对共阴极，整流电流：24.5A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：6A，正向压降(Vf)：1.5V@6A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：8A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：11.6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不适用于新设计
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：62A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.65 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：73A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 30 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：64A，正向压降(Vf)：1.43V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：37A，正向压降(Vf)：1.38V@30A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：33A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：40A，正向压降(Vf)：1.65V@16A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：60A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 50 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，正向压降(Vf)：1.45V，直流反向耐压(Vr)：650V，反向电流(Ir)：7uA
二极管配置：独立式，整流电流：38A，正向压降(Vf)：1.27V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 4 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不适用于新设计
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：43.5A，正向压降(Vf)：1.6V@8A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 6 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io），不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：60 µA @ 650 V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.45 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）