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DMG3418L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DMG3418L-7
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.21112 1+:￥0.23816 |
17155 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG3418L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.2591 500+:￥0.2921 150+:￥0.3333 50+:￥0.3882 5+:￥0.4981 |
3005 |
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立创商城
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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3000+:￥0.2639 1500+:￥0.2977 200+:￥0.3432 100+:￥0.533 |
17180 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMG3418L-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23
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100+:￥0.2646 1+:￥0.294 |
2460 |
2338
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现货最快4H发
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京北通宇
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.206 1+:￥0.233 |
20255 |
2年内
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 464.3 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |