HSBB6066
HUASHUO(华朔)
PRPAK3x3-8L
¥1.17
27,110
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):60A,导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@10V
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HSBB6066
HUASHUO(华朔)
PRPAK3x3

500+:¥1.17

100+:¥1.49

20+:¥1.81

1+:¥2.06

1778

21+/20+
HSBB6066
HUASHUO(华朔)
PRPAK3x3-8L

1000+:¥1.21

500+:¥1.26

100+:¥1.52

30+:¥1.78

10+:¥2.07

1+:¥2.66

25332

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HSBB6066
HUASHUO/深圳华朔半导体
DFN-8

1000+:¥1.1957

300+:¥1.2222

100+:¥1.25

30+:¥1.4667

10+:¥1.5714

1+:¥1.6923

3000

25+
1工作日
HSBB6066
HUASHUO/深圳华朔半导体
DFN-8

1000+:¥1.2092

500+:¥1.256

100+:¥1.5198

50+:¥1.7794

10+:¥2.0598

1+:¥2.5317

9585

2441+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 60A
导通电阻(RDS(on)) 5.2mΩ@10V