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SI2308A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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价格(含税)
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SI2308A
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UMW(友台半导体)
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3000+:￥0.11 1+:￥0.124 |
16776 |
2年内
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圣禾堂
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UMW(友台半导体)
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21000+:￥0.1133 9000+:￥0.1225 3000+:￥0.1394 600+:￥0.1589 200+:￥0.1914 20+:￥0.2499 |
27380 |
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UMW(广东友台半导体)
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3000+:￥0.1144 1+:￥0.12896 |
13760 |
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硬之城
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UMW(友台半导体)
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3000+:￥0.139 600+:￥0.158 200+:￥0.191 20+:￥0.248 |
1500 |
23+/24+
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在芯间
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UMW
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100+:￥0.1481 1+:￥0.1506 |
2707 |
2212
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 240 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |