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SI1308EDL-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI1308EDL-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-323
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3000+:￥0.3502 500+:￥0.4408 150+:￥0.4936 50+:￥0.564 5+:￥0.7048 |
4005 |
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立即发货
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立创商城
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SI1308EDL-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-323
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3000+:￥0.389 1+:￥0.416 |
128 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SI1308EDL-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-323-3
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3000+:￥0.40456 1+:￥0.43264 |
124 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI1308EDL-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-323
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30000+:￥0.4356 6000+:￥0.4703 3000+:￥0.495 800+:￥0.693 200+:￥0.99 10+:￥1.5345 |
30000 |
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油柑网
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SI1308EDL-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-323
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500+:￥0.447 150+:￥0.485 50+:￥0.554 5+:￥0.698 |
9000 |
23+/24+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 132 毫欧 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 105 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta），500mW（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |