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DMN63D8LDW-7
DIODES(美台)
SOT-363
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.8 欧姆 @ 250mA，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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DMN63D8LDW-7
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美台(DIODES)
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SC-88(SOT-363)
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30000+:￥0.127 6000+:￥0.1371 3000+:￥0.1443 800+:￥0.202 100+:￥0.2886 20+:￥0.4697 |
3134 |
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油柑网
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DMN63D8LDW-7
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DIODES(美台)
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SOT-363
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3000+:￥0.1373 1200+:￥0.1671 600+:￥0.1688 100+:￥0.1795 10+:￥0.2007 |
3000 |
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华秋商城
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DMN63D8LDW-7
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DIODES(美台)
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SOT-363
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3000+:￥0.1445 300+:￥0.1777 100+:￥0.1889 10+:￥0.2113 |
4840 |
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立创商城
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DMN63D8LDW-7
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Diodes(美台)
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SOT-363-6
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3000+:￥0.1456 1+:￥0.16432 |
4573 |
2年内
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硬之城
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Diodes(达尔)
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SOT-363
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3000+:￥0.21 1500+:￥0.237 200+:￥0.273 140+:￥0.3679 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 220mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 250mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.87nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |