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IRF5305STRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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IRF5305STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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500+:￥2.82 100+:￥4.01 20+:￥4.54 1+:￥6.15 |
1287 |
22+/23+
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在芯间
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IRF5305STRLPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-263(D²Pak)
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1000+:￥2.9369 500+:￥3.0668 100+:￥3.2487 30+:￥3.6386 10+:￥3.8985 1+:￥4.2884 |
160 |
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华秋商城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263-2
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8000+:￥3.63 1600+:￥3.9188 800+:￥4.125 400+:￥5.775 100+:￥8.25 10+:￥13.4269 |
4800 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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100+:￥5.0 30+:￥5.72 10+:￥6.35 1+:￥7.51 |
381 |
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立创商城
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Infineon Technologies/IR
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D2PAK
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6000+:￥3.0668 3000+:￥3.1448 500+:￥3.1968 1+:￥3.2488 |
75 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |