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SI2318A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），5.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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UMW(友台半导体)
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3000+:￥0.0961 1+:￥0.121 |
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3000+:￥0.09994 1+:￥0.12584 |
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硬之城
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21000+:￥0.1004 9000+:￥0.1094 3000+:￥0.1262 600+:￥0.1567 200+:￥0.189 20+:￥0.247 |
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UMW(友台)
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3000+:￥0.1442 1500+:￥0.1815 200+:￥0.2895 80+:￥0.6391 |
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3000+:￥0.151 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta），5.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），2.1W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |