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FQD50N06-HXY
华轩阳
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,20A
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厂家型号
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价格(含税)
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库存
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渠道
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FQD50N06-HXY
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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TO-252-2L
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1000+:￥0.8882 500+:￥0.9376 100+:￥1.0199 30+:￥1.2049 10+:￥1.3531 1+:￥1.6989 |
2128 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,20A |