FZT651TA
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.814
21,324
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 300mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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FZT651TA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥0.74

1+:¥0.803

15307

24+
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FZT651TA
Diodes(达尔)
SOT-223

1000+:¥0.814

60+:¥0.8833

11191

-
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FZT651TA
DIODES INCORPORATED
SOT-223

100+:¥0.833

1+:¥0.882

1997

2423
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FZT651TA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥0.85

150+:¥1.02

50+:¥1.19

5+:¥1.52

7924

20+
FZT651TA
DIODES(美台)
SOT-223

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50+:¥1.1812

5+:¥1.5238

210

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 175MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA