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AONR21321
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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AONR21321
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AOS
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DFN3x3_8L
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5000+:￥0.54 1+:￥0.582 |
3534 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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AONR21321
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AOS(美国万代)
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DFN8_3X3MM
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2000+:￥0.55 500+:￥0.62 100+:￥0.7 50+:￥0.8 1+:￥1.0 |
644 |
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立即发货
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华秋商城
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AONR21321
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AOS(美国万代)
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DFN-8(3x3)
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5000+:￥0.5616 1+:￥0.60528 |
3530 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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AONR21321
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AOS(美国万代)
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DFN-8(3x3)
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5000+:￥0.57188 1000+:￥0.5825 500+:￥0.59312 100+:￥0.60321 10+:￥0.61065 |
18883 |
25+
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现货
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硬之城
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AONR21321
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AOS(美国万代)
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DFN 3x3 EP
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5000+:￥0.58 2500+:￥0.7342 1000+:￥0.8529 100+:￥1.1837 1+:￥1.4872 |
3240 |
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3天-5天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.5 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 34 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1180 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 4.1W（Ta），24W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |