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IRLR3410TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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价格(含税)
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交期
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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4000+:￥1.0553 2000+:￥1.1252 500+:￥1.2416 150+:￥1.6556 50+:￥1.8651 5+:￥2.3541 |
16195 |
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立创商城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.08 1+:￥1.14 |
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25+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2000+:￥1.1232 1+:￥1.1856 |
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25+
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硬之城
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥1.29 100+:￥1.72 20+:￥2.04 1+:￥2.89 |
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22+/23+
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在芯间
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IRLR3410TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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500+:￥1.43 100+:￥1.508 10+:￥1.664 1+:￥1.729 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 34 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |