BORN(伯恩半导体)
SOT-363
¥0.106
49116
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
德昌电子
DO-35
¥0.02596
16460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.104
358412
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0787
146622
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,耗散功率(Pd):200mW
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.02774
98716
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-523
¥0.078
83927
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:75mA
华轩阳
SOT-363
¥0.091
12173
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:150mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1225
26495
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0184
840096
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):71V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.0451
201945
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FH(风华)
SOD-323
¥0.0457
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
ST(先科)
LS-31
¥0.06
30912
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.0555
4570
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.071
40664
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.03411
174124
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SOT-23
¥0.0572
11194
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SOD-523
¥0.0249
86548
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:125mA,耗散功率(Pd):150mW
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0304
26910
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.5V@300mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.04503
127909
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0575
65227
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.06
133861
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
DFN1006-2
¥0.061
271420
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0789
15153
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA
onsemi(安森美)
SC-75
¥0.07275
106099
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Prisemi(芯导)
SOD-123F
¥0.06219
13479
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.08642
104045
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.0325
97315
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):350mW
KUU(永裕泰)
SOD-523
¥0.0279
461134
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):150mW
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.05346
12600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0704
86875
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:200mA
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.03827
21122
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.037
1553560
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.0371
902818
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.05585
22146
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
平晶
SOD-123W
¥0.0308
5200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.062
17212
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA
SMC(桑德斯)
SOD-123
¥0.0687
0
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.085
43893
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Prisemi(芯导)
SOD-123FL
¥0.10712
19890
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.05287
170794
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0278
49142
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):71V,整流电流:150mA
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.046
21481
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-23
¥0.02444
169365
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-123F
¥0.02465
432360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,耗散功率(Pd):400mW
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0265
152044
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0473
53415
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.062766
14744
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
LL-34(SOD-80)
¥0.02319
64797
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
德昌电子
SOD-323FL
¥0.04136
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0434
52697
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA