GOODWORK(固得沃克)
SOD-523
¥0.03264
43200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:125mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.079
1946759
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.022515
82890
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
CBI(创基)
SOD-123
¥0.01768
89214
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0333
381261
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):200mW
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.02375
180566
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0504
25569
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):400mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0545
46965
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323
¥0.0935
29174
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.08258
15924
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA
华轩阳
SOD-323
¥0.0155
76657
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0258
3923416
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0311
85466
正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.0281
7250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
Nexperia(安世)
SC-79,SOD-523
¥0.0746
304496
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
SOD-123
¥0.02434
16181
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:500mA,耗散功率(Pd):500mW
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-523
¥0.03578
13152
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.03744
38460
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.04285
18507
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.07205
414377
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0646
33191
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.03848
5616
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.055
1605179
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323(SC-90)
¥0.01928
115196
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.085
66685
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
MicroMELF
¥0.1
2378016
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.11
152717
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):125mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.049
689202
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):175mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.06438
24341
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(先科)
LL-34
¥0.026
13947
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.03162
33278
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):71V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0771
78211
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,耗散功率(Pd):200mW
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0231
162850
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.03047
42570
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:215mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-523(SC-79)
¥0.03906
22150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.04451
30164
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0634
89440
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.0209
117896
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOT-323-3
¥0.0445
1192782
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:215mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.068
359155
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
晶导微电子
SOD-123
¥0.0264
300870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:250mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.1266
31733
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:150mA
VISHAY(威世)
DO-35
¥0.0617
298721
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
LS-34
¥0.0401
37
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.062
499977
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):250V,耗散功率(Pd):225mW
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.1467
9030
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0478
5585
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07966
14414
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:200mA
VISHAY(威世)
QuadroMELF
¥0.0643
218462
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.0716
411864
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA