GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.02984
4050
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
华轩阳
SOT-23
¥0.02926
4000
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
ChipNobo(无边界)
SOD-123
¥0.03192
3950
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
华轩阳
SOD-323
¥0.0306
2220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-323W
¥0.04931
6190
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.04256
6200
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):350mW
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.03337
5650
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0332
1450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.0418
104595
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:225mA
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.033558
123300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
ST(先科)
DO-35
¥0.0347
10266
直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:75mA,耗散功率(Pd):500mW,反向恢复时间(Trr):4ns
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.0394
56950
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
华轩阳
SOT-23
¥0.0348
200
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):150mW
IDCHIP(英锐芯)
SOD-123
¥0.039045
300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
LRC(乐山无线电)
SOT-323
¥0.0716
107336
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.0392
2336
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.041328
1500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.0411
3460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03952
2950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:250mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.04029
1000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0446
3150
正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.04029
1800
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):400mW
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.04266
1300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:100mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0461
190219
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:215mA
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.046835
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:125mA
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0681
17
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.047846
3300
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-323
¥0.05328
2650
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-323
¥0.0472
141300
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
YFW(佑风微)
SOD-123
¥0.052155
2300
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):500mW
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.0545
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.045885
3250
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA
ST(先科)
SC-76
¥0.0399
0
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.071
1350
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-523
¥0.05328
1500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:125mA
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.0551
300
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA,耗散功率(Pd):350mW
LGE(鲁光)
SOD-523
¥0.05544
1800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
华轩阳
SOD-123
¥0.055792
780
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
ROHM(罗姆)
SOD-323F
¥0.0558
13112
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
TOSHIBA(东芝)
SOT-23
¥0.0705
7719
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0609
10380
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.064614
23882
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):250mW
ST(先科)
TO-236
¥0.071
0
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:400mA,耗散功率(Pd):350mW
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.03402
2550
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.1V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.109
16286
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.07083
2860
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.07197
8915
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0722
2650
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
KEC(开益禧)
SOT-23
¥0.0744
15740
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:250mA
ST(先科)
SOT-23
¥0.0746
3180
正向压降(Vf):715mV@1mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA,耗散功率(Pd):350mW