DIODES(美台)
SMC
¥0.72
20089
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.73395
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@6A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.582848
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
DO-213AA
¥0.6396
5001
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
Nexperia(安世)
CFP-3
¥0.8857
10
二极管类型:SiGe(硅锗),电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):120 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC
¥0.79
6980
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.6327
65
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.8109
55
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1uA@200V
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.586432
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):800mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 800 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AC
¥0.84018
55
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):500nA
DIODES(美台)
SMB
¥0.8949
50
正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):3uA@600V
VISHAY(威世)
DO-214AB
¥0.837
13024
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC
¥0.8431
43674
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AC
¥0.9092
0
正向压降(Vf):1.3V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:8A,反向恢复时间(Trr):35ns
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.935
8
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
RUILON(瑞隆源)
TO-220AC
¥0.95355
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:8A
YANGJIE(扬杰)
ITO-220AC
¥0.9539
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.3522
1
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
RUILON(瑞隆源)
ITO-220AC
¥0.962
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:8A
PANJIT(强茂)
ITO-220AC
¥0.9776
2534
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.0939
1570
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):700 V,电流 - 平均整流 (Io):800mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 800 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥0.93744
536
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:18A
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-106
¥0.9853
1451
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AB(SMC)
¥0.995
6
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SMA
¥0.50648
7648
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):940 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.5525
2
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 5 A
RUILON(瑞隆源)
TO-220AB
¥1.1968
42
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A
RUILON(瑞隆源)
ITO-220AC
¥1.0377
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@8A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:8A
Nexperia(安世)
SOD-128
¥1.039
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,功率 - 最大值:750 mW,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30 nA @ 200 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 3 A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.217
910
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
ITO-220AB-3
¥1.55
998
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.5V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A
ST(意法半导体)
DPAK
¥1.03
1337
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥1.0845
2455
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
TO-220-2
¥1.3087
196
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
TO-220-2
¥0.7998
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.6V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
TO-220AB
¥1.1068
40
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.6V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
ST(意法半导体)
TO-277A
¥0.932316
16038
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):35 ns
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥1.00719
459
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.7V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA
DIODES(美台)
ITO-220AC
¥1.18182
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.9V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F-2L
¥1.1549
175
正向压降(Vf):1.6V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@600V
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.890176
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-201AD
¥1.07
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB
¥1.0976
3330
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.28 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥1.175
3
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
TO-220AC-2
¥1.188
1000
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.1955
50
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A,反向电流(Ir):1uA@400V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.63
40
直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:16A
YANGJIE(扬杰)
R-6
¥1.2316
170
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A
RUILON(瑞隆源)
ITO-220AB
¥1.2337
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.239
276
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@8A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:16A