VISHAY(威世)
DO-220AA
¥0.429
14
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.4309
0
YANGJIE(扬杰)
DO-15
¥0.576
2235
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):875mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
DO-220AA
¥0.4404
6027
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMC
¥0.35967
2975
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.4194
1595
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
DO-15
¥0.4439
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMA
¥0.452
2198
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.4537
85
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.4V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.4561
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
MicroSMP
¥0.4648
5
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-214AB(SMC)
¥0.3918
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.433265
2935
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.385
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.45144
115
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMA
¥0.473
29283
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.4932
2685
正向压降(Vf):1.25V@3.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@600V
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.495
1270
正向压降(Vf):1.25V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1uA@400V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.4982
15
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.5243
0
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.5567
3000
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.3895
1250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.5313
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.75V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A
YANGJIE(扬杰)
DO-15
¥0.5342
2940
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.534
144332
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.5 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
SMA
¥0.5508
5
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.52425
420
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.556
17
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.4439
1
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA
MCC(美微科)
DO-201AD
¥0.5139
0
正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
ST(意法半导体)
SMB
¥0.58
14893
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
ITO-220ABW
¥1.1693
70
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
WeEn(瑞能)
SMB
¥0.59
7252
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.48384
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220AB
¥1.4352
636
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.6146
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.28V@4A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:4A
ROHM(罗姆)
TO-220FN
¥0.473
812
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):430 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-41
¥0.6194
41
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.8055
810
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
SMA(DO-214AC)
¥0.1508
24069
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.4689
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.6597
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
DO-214AC,SMA
¥0.66465
6250
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.6664
1920
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.6779
210
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
TO-220FP-AC
¥0.5764
12841
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-214AA,SMB
¥0.7135
3000
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMC
¥1.43
85
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
ITO-220AC-2
¥0.699
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A
ST(意法半导体)
DO-15
¥0.4736
5980
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)