SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.22325
24120
正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@600V
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.22325
24240
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@300V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.138
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
RUILON(瑞隆源)
SMB
¥0.1975
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
PANJIT(强茂)
SMA
¥0.14
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-106
¥0.2058
54242
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 800 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.2059
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.2068
1190
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
Comchip(典琦)
DO-214AC(SMA)
¥0.5277
435
二极管类型:雪崩,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.22325
810
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.45V@2.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
晶导微电子
SMB
¥0.2096
480
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.2016
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.4 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.253
680
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@400V
MDD(辰达行)
DO-201AD
¥0.22477
268
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@400V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.2115
1840
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.2233
2340
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
晶导微电子
SMB
¥0.2234
1480
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
晶导微电子
SMC
¥0.2259
1590
正向压降(Vf):1.68V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向恢复时间(Trr):75ns
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2281
265
正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.2281
390
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@200V
晶导微电子
SMC
¥0.22877
3040
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.7V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A
YFW(佑风微)
SMC
¥0.163875
2490
正向压降(Vf):1.65V,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
SMB
¥0.2279
810
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:5A
华轩阳
SMA
¥0.23049
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.230925
0
正向压降(Vf):1.7V@3.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向恢复时间(Trr):75ns
VISHAY(威世)
DO-219AD
¥0.26
8868
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):970 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
DIODES(美台)
Power-DI-123
¥0.232
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.35 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMB
¥0.25482
3316
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMA
¥0.234
10
正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
TO-252-2
¥0.2349
1320
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):500V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.235
2830
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.45V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2369
45
正向压降(Vf):1.45V@2.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):50uA@600V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA
¥0.1816
0
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.273505
25530
正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA@600V
PANJIT(强茂)
DO-15
¥0.2415
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
晶导微电子
TO-252
¥0.242
6520
正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1.3mA
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.2467
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2468
0
正向压降(Vf):875mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):2uA
PANJIT(强茂)
SMA
¥0.2486
170
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
DO-41
¥0.2525
1690
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@600V
DOWO(东沃)
SMB
¥0.3143
2990
正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
DO-15
¥0.2588
40
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
华轩阳
SMA
¥0.2616
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.10696
1810
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.271
0
正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.3067
2890
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA
JJW(捷捷微)
SMC(DO-214AB)
¥0.4445
45
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.267615
2070
正向压降(Vf):1.65V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A,反向恢复时间(Trr):35ns
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.2747
50
正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA@400V
SMC(桑德斯)
DO-15
¥0.2787
1
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.41V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A