晶导微电子
TO-252
¥0.2805
4975
正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A,反向电流(Ir):1uA
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.23208
525
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.2825
0
正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA
PANJIT(强茂)
DO-41
¥0.2871
650
正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@400V
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.268
2080
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@100V
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.2956
130
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.2968
4920
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.2984
125
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.2984
105
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.3008
300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:5A
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3025
24995
正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@800V
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.27911
535
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@400V
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.25536
2475
正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A,反向恢复时间(Trr):35ns
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.3111
160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.312
2855
正向压降(Vf):1.7V@3.0A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@400V
DIODES(美台)
DO-214AA
¥0.31437
1395
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.3161
11010
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
晶导微电子
TO-252-2
¥0.222
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
MCC(美微科)
DO-214AB(SMC)
¥0.3224
8462
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
R-6
¥0.3234
416
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A
PANJIT(强茂)
DO-15
¥0.2464
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.32091
250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.3305
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.334875
930
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
DIODES(美台)
D-FLAT
¥0.35
37295
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.3363
85
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
SMC
¥0.351975
805
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SMF
¥0.322
74222
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.3391
2800
正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA@200V
晶导微电子
TO-252
¥0.3909
10
正向压降(Vf):1.3V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:8A,反向恢复时间(Trr):35ns
DIODES(美台)
DO-214AC
¥0.355
21673
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.34048
750
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@600V
DIODES(美台)
SMB
¥0.36
10013
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.3702
2615
正向压降(Vf):1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
SMP-6
¥0.30464
1960
正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@400V
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.4198
150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.8V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.38831
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.39
7348
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
HV-04
¥0.3945
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):60V@10mA,直流反向耐压(Vr):16kV,整流电流:5mA
不适用于新设计
onsemi(安森美)
DO-204AL,DO-41,轴向
¥0.2784
10
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.2149
1495
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-201AD(DO-27)
¥0.4172
40
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.527184
0
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@100V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-128
¥0.4134
13360
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.3V@3.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
DIODES(美台)
DO-41
¥0.3653
3900
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.4164
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.2115
50
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
华轩阳
SMA
¥0.4256
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.2925
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SMA
¥0.312592
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)