MDD(辰达行)
SMA
¥0.0275
1899673
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.01349
353822
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.0182
281934
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.015957
89816
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.124
3526929
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SMA
¥0.0234
438640
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0276
918549
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0371
335326
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0275
633984
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMA
¥0.0231
5707479
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.01872
418651
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.68V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.40109
81768
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.017
234150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
VISHAY(威世)
DO-214AC,SMA
¥0.165
4292945
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0237
1298707
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0308
211375
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0303
240563
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.05294
72770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMA
¥0.1321
518255
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMA
¥0.022
904483
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
Hottech(合科泰)
DO-214AC(SMA)
¥0.0199
79042
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.01809
157238
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.03689
63008
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.0831
40290
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.01653
201181
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@1000V
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0583
162621
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.053
250850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
ST(意法半导体)
SMA
¥0.41
49735
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
DO-214AC(SMA)
¥0.02907
166086
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0518
76036
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0661
209851
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.02398
242378
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.088
23562
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0181
3187204
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.122
175988
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.9V@1A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0235
1897025
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
Slkor(萨科微)
SMB
¥0.055955
57503
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@200V
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.34
256306
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB
¥0.41808
217071
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.02958
263212
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SMB
¥0.315
238997
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-214AA(SMB)
¥0.0726
232200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.41392
357592
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0518
162706
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SMB
¥0.41875
27775
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.0259
175893
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.02124
317154
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0506
189788
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0429
93153
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMA
¥0.0231
3780424
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A