VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.54496
4302
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.79
43722
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
onsemi(安森美)
DO-201AA,DO-27,轴向
¥1.1229
30
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-252
¥3.91
6089
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
D2PAK
¥3.51
6586
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):975 mV @ 8 A
WeEn(瑞能)
TO-247-2
¥6.09
278
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.75 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FOSAN(富信)
SMAF
¥0.0176
27000
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0253
13529
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0328
5700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0353
70
直流反向耐压(Vr):1kV
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.08303
165335
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@50mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:50mA
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.064
700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1085
14625
正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,反向电流(Ir):5uA,工作结温范围:-50℃~+150℃
BORN(伯恩半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.11637
4240
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.132
3060
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.113
86006
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.0829
10075
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.1694
16655
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.1V@50mA,直流反向耐压(Vr):175V,整流电流:100mA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.2118
1350
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.2108
2180
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
DO-27
¥0.2947
670
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2811
1186
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA
¥0.240771
0
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.26
14120
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.3272
850
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
R-6
¥0.3724
25305
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
TO-252-2
¥0.29
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A
TOSHIBA(东芝)
SC-59
¥0.4375
63900
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10nA@80V
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.4355
75911
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 2.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
R-6
¥0.5634
3700
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
TSOT-23-5L
¥0.5636
5385
正向压降(Vf):1.1V@50mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):100nA
VISHAY(威世)
DO-214BA
¥0.727
27781
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
onsemi(安森美)
DO-214AC,SMA
¥1.35
392
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0412
3321
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.0318
6800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
DO-41
¥0.0426
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.05328
5896
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.047
13040
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.0723
6512
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.05928
80642
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.066
3
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.0645
39832
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
华轩阳
SMA
¥0.091494
1800
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.103
32383
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.111625
1180
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
TOSHIBA(东芝)
SC-59
¥0.1606
1660
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-27
¥0.16606
3600
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.2
101544
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1797
1109
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):125mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1559
6840
正向压降(Vf):1.85V,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA