晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.02288
340346
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.022
242257
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0341
6731
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0341
21745
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.05624
3100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.06175
44240
正向压降(Vf):2V@500mA,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@2kV
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.0585
518925
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.0696
7435
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.09367
30400
正向压降(Vf):5V@200mA,直流反向耐压(Vr):3kV,整流电流:200mA,反向电流(Ir):5uA@3kV
DIODES(美台)
DO-214AC,SMA
¥0.084
308878
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.07904
6107
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-59
¥0.1008
65193
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.11
26789
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):140mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA
SHIKUES(时科)
SMBF
¥0.12382
19879
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.11985
40
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
SHIKUES(时科)
SMBF
¥0.13566
3440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
Slkor(萨科微)
SMB
¥0.1141
2440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.136
36552
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.15885
1330
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
Comchip(典琦)
SOD-123
¥0.176
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.24
31765
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.245
5532
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.23265
8555
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):875mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.288
9617
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMF
¥0.264
304695
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):930 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.42075
3175
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥1.05
32295
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 8 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
-
¥6.02
0
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.020145
4200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.03411
17100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
YFW(佑风微)
SMA
¥0.04256
6020
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.0552
10680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.0697
2300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0911
2300
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):35V,反向电流(Ir):20nA@20V
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.0968
12250
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1221
92703
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.11
62792
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Leiditech(雷卯电子)
SOD-323FL
¥0.148485
2870
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.0971
7010
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@100V
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.17172
6740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.27432
6640
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.2514
2910
正向压降(Vf):1.15V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA@600V
LGE(鲁光)
SMC(DO-214AB)
¥0.21573
5160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.2327
430
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.244
3247
正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YFW(佑风微)
SMA(DO-214AC)
¥0.23994
3785
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):5V@200mA,直流反向耐压(Vr):2.8kV,整流电流:200mA
onsemi(安森美)
SOT-23-3L
¥0.14
6149
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
ST(先科)
DO-201AD
¥0.4223
267
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.362
15799
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.3166
30718
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)