onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.101
130158
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.101277
214547
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.101915
130
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
BORN(伯恩半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.1183
6966
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.108
467268
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-70
¥0.132
114010
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.18
115074
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):2000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
onsemi(安森美)
DO-204AL,DO-41,轴向
¥0.263736
8066
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.35
11291
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.5 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.499
10294
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥0.667632
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SMA
¥0.01352
313692
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
华轩阳
SOD-123FL
¥0.01584
9650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0407
156358
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.0533
9990
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
DO-41
¥0.0561
3686
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@50V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.058
7213
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.06912
3040
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.2888
890
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.0997
15977
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.1786
1680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.75V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.192
50344
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.2
27618
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.25734
3120
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.41
17688
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
R-6
¥0.6508
1555
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@20A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:20A
YANGJIE(扬杰)
TO-247-2L
¥6.75
6
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600 V,电流 - 平均整流 (Io):60A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 60 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.0142
1985
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@50V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.01737
28600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0268
19839
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.04
18046
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMA
¥0.04306
30797
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.061845
40
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.0693
7050
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.08523
11028
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@2A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.1006
8806
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0864
24994
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
MCC(美微科)
DO-221AC
¥0.0568
25096
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LRC(乐山无线电)
SMB
¥0.1261
20086
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
LGE(鲁光)
DO-201AD
¥0.15858
3460
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A
晶导微电子
SMC
¥0.2547
890
正向压降(Vf):985mV@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@1000V
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.2363
6957
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
插件
¥0.3767
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.4556
1880
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@50V
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.27322
1005749
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 2.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.71
30906
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DPAK
¥3.02
5037
二极管类型:FERD(场效应整流器二极管),电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),安装类型:表面贴装型
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.0304
16500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SMAJ
¥0.0345
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
MCC(美微科)
DO-204AL,DO-41,轴向
¥0.065
63192
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)