YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.1507
5640
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
SHIKUES(时科)
SMC(DO-214AB)
¥0.226005
3500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.2115
3320
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3.0A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.2325
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.2816
4005
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1300 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-80
¥0.3007
125
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.339
76784
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.2855
2945
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
TO-252
¥0.3491
60
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
ROHM(罗姆)
TUMD2SM
¥0.201
13717
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
SMC(DO-214AB)
¥0.38189
8880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.28V@4A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:4A
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.429
3542
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.4644
8925
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.35 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.641915
26370
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1.6kV
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥0.7409
2480
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
D2PAK
¥4.64
71
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
D2PAK
¥5.11
663
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):12A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.9 V @ 12 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-252-2
¥4.332
103
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥7.128
8212
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 30 A
ST(意法半导体)
DO-247
¥7.54
31051
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):60A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.85 V @ 60 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SMA
¥0.01463
6150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0353
585
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A
DOWO(东沃)
SMAF
¥0.0191
15100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
R-1
¥0.02675
4999
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.04066
21455
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SMB
¥0.0474
5660
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.0528
511470
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.0639
5960
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.06224
13460
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.142
20
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.10646
14708
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.06
25148
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.08304
6523
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
RUILON(瑞隆源)
SMA
¥0.0903
2760
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.1
26902
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.1128
7540
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.1114
260
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
RUILON(瑞隆源)
SMB
¥0.1236
270
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
不适用于新设计
DIODES(美台)
DO-41
¥0.12
112754
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMA
¥0.1344
4770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):2kV,整流电流:2A
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.14484
680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.167485
2880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.19798
3280
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@400V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.214
73559
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.214
1340
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):200uA@200V
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.188
0
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.2357
380
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@50V
YFW(佑风微)
SMC
¥0.233035
950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.2548
23
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
DO-15
¥0.2576
5
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2.5A