LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.13311
7290
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1.0A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SC-70,SOT-323
¥0.122
81571
二极管配置:1 对串行连接,技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):140mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.12767
5970
正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
TOSHIBA(东芝)
SOD-323
¥0.1348
2400
正向压降(Vf):850mV@2mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):100nA
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥0.151
18336
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC(DO-214AB)
¥0.15272
8600
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
ROHM(罗姆)
SOD-323HE
¥0.1892
127310
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.23265
1445
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.20736
1340
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@200V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.228
78365
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
Comchip(典琦)
SMA(DO-214AC)
¥0.1824
2900
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.255207
33941
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
插件,D3xL10mm
¥0.36176
26520
正向压降(Vf):30V,直流反向耐压(Vr):10kV,整流电流:5mA,反向电流(Ir):2uA
LRC(乐山无线电)
SMC
¥0.4467
80
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A
Infineon(英飞凌)
SC-76,SOD-323
¥0.3945
5089
二极管类型:PIN - 单,电压 - 峰值反向(最大值):50V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V,1MHz,不同 If、F 时电阻:1 欧姆 @ 10mA,100MHz
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.4912
2135
正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA
PANJIT(强茂)
DO-214AB(SMC)
¥0.6317
740
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-201AD
¥0.53
20836
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-213AB
¥0.56888
59104
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SC-70,SOT-323
¥0.588
218
二极管类型:PIN - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):50V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:0.3pF @ 5V,1MHz,不同 If、F 时电阻:1 欧姆 @ 10mA,100MHz
YANGJIE(扬杰)
R-6
¥1.0871
67
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 10 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
R-6
¥0.6911
80
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@20A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:20A
VISHAY(威世)
DO-201AD
¥0.825
3216
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1300 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.99944
215733
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):4000 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-201AD
¥0.85
2465
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
VISHAY(威世)
TO-263AB
¥6.3
6286
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
D2PAK
¥9.94
958
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DOWO(东沃)
SOD-123FL
¥0.0257
13000
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA
YFW(佑风微)
SOD-123FL
¥0.01976
1250
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
华轩阳
SOD-123F
¥0.023157
10150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0242
36265
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0253
20
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.02664
1350
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SMAJ
¥0.0657
48
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.0455
9150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.05112
4250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.05859
4680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.06021
900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SMB
¥0.0923
91100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
SHIKUES(时科)
SMB(DO-214AA)
¥0.06536
2740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A
晶导微电子
SMA
¥0.0667
2400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1.3kV,整流电流:2A
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.0715
63518
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
DO-35
¥0.0735
70079
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.08505
410
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0946
11
正向压降(Vf):4V@500mA,直流反向耐压(Vr):3kV,整流电流:200mA,反向电流(Ir):5uA@3kV
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.097679
6560
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMBF
¥0.11136
70071
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.1275
2764
正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.1352
18068
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.1305
2030
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@50V